在PCB設(shè)計(jì)中，能夠經(jīng)過分層、恰當(dāng)?shù)囊?guī)劃布線和裝置完成PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中，經(jīng)過預(yù)測能夠?qū)⒔^大多數(shù)設(shè)計(jì)修正僅限于增減元器件。經(jīng)過調(diào)整PCB規(guī)劃布線，可以很好地防備ESD。
來自人體、環(huán)境以至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電關(guān)于精細(xì)的半導(dǎo)體芯片會形成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結(jié)；短路正向偏置的PN結(jié)；凝結(jié)有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消弭靜電釋放(ESD)對電子設(shè)備的干擾和毀壞，需求采取多種技術(shù)手腕停止防備。
在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中，能夠經(jīng)過分層、恰當(dāng)?shù)囊?guī)劃布線和裝置完成PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中，經(jīng)過預(yù)測能夠?qū)⒔^大多數(shù)設(shè)計(jì)修正僅限于增減元器件。經(jīng)過調(diào)整PCB規(guī)劃布線，可以很好地防備ESD。以下是一些常見的防備措施。
盡可能運(yùn)用多層PCB，相關(guān)于雙面PCB而言，地平面和電源平面，以及排列嚴(yán)密的信號線-地線間距可以減小共模阻抗和理性耦合，使之到達(dá)雙面PCB的 1/10到1/100。盡量地將每一個(gè)信號層都緊靠一個(gè)電源層或地線層。關(guān)于頂層和底層外表都有元器件、具有很短銜接線以及許多填充地的高密度PCB，能夠思索運(yùn)用內(nèi)層線。
關(guān)于雙面PCB來說，要采用嚴(yán)密交錯(cuò)的電源和地柵格。電源線緊靠地線，在垂直和程度線或填充區(qū)之間，要盡可能多地銜接。一面的柵格尺寸小于等于60mm，假如可能，柵格尺寸應(yīng)小于13mm。
確保每一個(gè)電路盡可能緊湊。
盡可能將一切銜接器都放在一邊。
假如可能，將電源線從卡的中央引入，并遠(yuǎn)離容易直接遭受ESD影響的區(qū)域。
在引向機(jī)箱外的銜接器(容易直接被ESD擊中)下方的一切PCB層上，要放置寬的機(jī)箱地或者多邊形填充地，并每隔大約13mm的間隔用過孔將它們銜接在一同。
在卡的邊緣上放置裝置孔，裝置孔四周用無阻焊劑的頂層和底層焊盤銜接到機(jī)箱地上。
PCB裝配時(shí)，不要在頂層或者底層的焊盤上涂覆任何焊料。運(yùn)用具有內(nèi)嵌墊圈的螺釘來完成PCB與金屬機(jī)箱/屏蔽層或接空中上支架的嚴(yán)密接觸。
在每一層的機(jī)箱地和電路地之間，要設(shè)置相同的“隔離區(qū)”；假如可能，堅(jiān)持距離間隔為0.64mm。
在卡的頂層和底層靠近裝置孔的位置，每隔100mm沿機(jī)箱地線將機(jī)箱地和電路地用1.27mm寬的線銜接在一同。與這些銜接點(diǎn)的相鄰處，在機(jī)箱地和電路地之間放置用于裝置的焊盤或裝置孔。這些地線銜接能夠用刀片劃開，以堅(jiān)持開路，或用磁珠/高頻電容的跳接。
假如電路板不會放入金屬機(jī)箱或者屏蔽安裝中，在電路板的頂層和底層機(jī)箱地線上不能涂阻焊劑，這樣它們能夠作為ESD電弧的放電極。
要以下列方式在電路四周設(shè)置一個(gè)環(huán)形地：
(1)除邊緣銜接器以及機(jī)箱地以外，在整個(gè)外圍周圍放上環(huán)形地通路。
(2)確保一切層的環(huán)形地寬度大于2.5mm。
(3)每隔13mm用過孔將環(huán)形地銜接起來。
(4)將環(huán)形地與多層電路的公共地銜接到一同。
(5) 對裝置在金屬機(jī)箱或者屏蔽安裝里的雙面板來說，應(yīng)該將環(huán)形地與電路公共地銜接起來。不屏蔽的雙面電路則應(yīng)該將環(huán)形地銜接到機(jī)箱地，環(huán)形地上不能涂阻焊劑，以便該環(huán)形地能夠充任ESD的放電棒，在環(huán)形地(一切層)上的某個(gè)位置處至少放置一個(gè)0.5mm寬的間隙，這樣能夠防止構(gòu)成一個(gè)大的環(huán)路。信號布線離環(huán)形地的間隔不能小于0.5mm。
